模拟电子电路 - 中国大学mooc

已完结 156
第1周 模拟电子电路导论及二极管

第1周测验

1、如果某个二极管外加正向电压为1.0V,那么下列哪类模型不适合用于该问题的分析?
    A、数学模型
    B、理想二极管模型
    C、折线模型
    D、恒压降模型



2、当PN结加正向电压时,空间电荷区的宽度将()
    A、变宽
    B、变窄
    C、不变
    D、未知



3、在二极管的几种模型中,一般工程上,常用来快速判断二极管工作状态的是()
    A、数学模型
    B、恒压降模型
    C、折线模型
    D、理想二极管模型



4、PN结的形成过程可以简述如下:
    A、多子扩散,少子漂移,空间电荷区出现,达到动态平衡
    B、多子扩散,空间电荷区出现,少子漂移,达到动态平衡
    C、少子漂移,空间电荷区出现,多子扩散,达到动态平衡
    D、少子漂移,多子扩散,空间电荷区出现,达到动态平衡



5、一个50Hz正弦波输入全波整流器后,其输出信号的频率是()
    A、25Hz
    B、50Hz
    C、100Hz
    D、0Hz



6、如果一个中间抽头全波整流器中有一个二极管开路,则输出信号表现为()
    A、0V
    B、半波整流后的波形
    C、幅度减小的波形
    D、不受影响的波形



7、齐纳二极管广泛应用于()。
    A、限流器
    B、配电器
    C、稳压器
    D、可变电阻



8、限幅电路如图所示,其设定的幅度上下限为()。
    A、3V, 6V
    B、3.7V,6.7V
    C、-3V, 6V
    D、-3.7V, 6.7V



9、判断如图所示电路中各二极管的工作状态。
    A、D1导通, D2截止
    B、D1导通,D2导通
    C、D1截止,D2导通
    D、D1截止,D2截止



10、限幅电路如图所示,稳压对管参数为VD(on) = 0.7V,VZ = 7.3V,rZ = 0Ω,则其设定的输出信号上下限为()。 提示:这里的DZ叫稳压对管,里面包含两个一模一样、相对连接的齐纳二极管。
    A、-7.3V, 7.3V
    B、-7.3V,8V
    C、-8V, 7.3V
    D、-8V, 8V



11、下列哪些信号可以作为模拟电路的处理对象?()
    A、正弦信号
    B、三角波信号
    C、格雷码信号
    D、数字图像信号



12、下面对PN结单向导电性描述正确的是()
    A、正向导通,反向截止
    B、正偏时PN结等效为一个大电阻
    C、反偏时PN结等效为一个大电阻
    D、正偏时PN结内有较大电流通过,PN结内电流方向是由N区流向P区



13、在下述几种击穿现象中,哪些击穿是可逆的?
    A、热击穿
    B、齐纳击穿
    C、雪崩击穿
    D、以上都可以



14、只要待处理信号足够小,且满足二极管小信号工作条件,我们就可以用二极管的小信号模型来分析该二极管对这个信号的响应。



15、齐纳二极管只能用作稳压用途。



16、整流电路中主要利用的是二极管的单向导电性。



第2周 半导体器件——场效应管1

第2周测验

1、某一电压放大器的幅频特性如图所示,其中频增益为____dB,上限截止频率为____Hz,下限截止频率为____Hz。
    A、20;1000;10
    B、40;10000;1000
    C、40;10000;0
    D、60;1000;0



2、模拟信号转换成数字信号的过程称为( )
    A、A/D转换
    B、D/A转换
    C、采样
    D、量化编码



3、场效应管工作时,参与导电的载流子为()。
    A、多子
    B、少子
    C、电子
    D、空穴



4、MOSFET中的导电沟道是指其()?
    A、金属层
    B、耗尽层
    C、反型层
    D、氧化层



5、NEMOSFET饱和区的工作条件为
    A、>, <
    B、>, >
    C、<, <
    D、<, >



6、某放大电路在负载开路时,测得输出电压为5V,在输入电压不变的情况下接入3 kΩ的负载电阻,输出电压下降到3V,说明该放大电路的输出电阻为( )kΩ 。
    A、1
    B、2
    C、3
    D、4



7、在CMOS集成电路设计中,NMOS的衬底应接在电路的____电位,PMOS的衬底应接在电路的____电位。
    A、最高,最高
    B、最高,最低
    C、最低,最高
    D、最低,最低



8、电路如图所示,要使得晶体管工作在饱和区,且有ID=0.4mA,VD=0.5V;已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V,L=1µm,W=32µm,,忽略沟道长度调制效应,则电阻 =( )kΩ,=( )kΩ。
    A、5, 3.25
    B、4, 6
    C、3, 7
    D、3.25, 5



9、已知某NMOS器件的Vt=1V,=50V,且工作点电流=0.5mA,则其小信号模型参数=( )mA/V,=( )kΩ。
    A、1,100
    B、0.5,50
    C、1, 50
    D、2,100



10、某放大器的电压增益为40dB,因为某种原因增益扩大了10倍,则现在的增益大小为( )。
    A、400dB
    B、1000V/V
    C、60dB
    D、30dB



11、已知某N沟道增强型MOS场效应管的。 下表给出了四种状态下的值,试判断各状态下器件的工作状态。
    A、状态1:饱和区;状态2:饱和区:
    B、状态1:截止区;状态2:饱和区
    C、状态3:变阻区;状态4:饱和区
    D、状态3:饱和区;状态4:变阻区



12、MOSFET做放大器,要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。



13、假设NEMOSFET已工作在饱和区,若继续增大时,沟道夹断点向漏极移动。



14、在画放大器直流通路时,电容应短路,电感应开路。



15、如图所示电路,参考CS放大器传输特性曲线,随着升高,MOSFET从饱和区变化到变阻区,临界条件是输入电压比输出电压低



16、MOSFET源极漏极间的长度L越大,沟道长度调制效应越明显。



第3周半导体器件及应用——场效应管2

第3周测验

1、CD放大器具有较( )的输入电阻和较( )的输出电阻。
    A、高,高
    B、高,低
    C、低,高
    D、低,低



2、CG放大器具有较( )的输入电阻和较( )的输出电阻。
    A、高,高
    B、高,低
    C、低,高
    D、低,低



3、在下图中如果将RG的阻值由10MΩ替换为1MΩ,则栅极直流电压将会(),漏极直流电流将会(),输入电阻将会()。
    A、增大 不变 减小
    B、不变 增大 不变
    C、不变 不变 减小
    D、增大 不变 增大



4、电路如图所示,如果电容C2开路,则MOSFET的漏极直流电压将会(),漏极交流电压将会(),增益将会()。
    A、不变 增大 增大
    B、不变 减小 减小
    C、增大 减小 不变
    D、增大 不变 减小



5、I=0.5mA,Vt=1.5V,,VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输(注意图中未画出电容),要实现增益为15倍的放大电路,则RD=()kΩ。
    A、10
    B、15
    C、12.5
    D、8



6、VDD=VSS=10V,I=0.5mA,RG=4.7MΩ,RD=15kΩ,Vt=1.5V,,VA足够大。输入输出信号均通过电容耦合进行传输(注意图中未画出电容),若输入信号由于某种原因,变为了原来的3倍(0.2V→0.6V),则我们改变电路结构由图a变为图b,以保持输出信号大小不变,则RS=()kΩ。 (a) (b)
    A、1
    B、2
    C、0.5
    D、0.25



7、已知电路如图,输入输出信号均通过电容耦合进行传输(注意图中未画出电容),其中MOS参数为Vt=1V,,VA=20V,则MOS的互导系数gm=()mA/V,ro=()kΩ,电路增益Av=()V/V。
    A、1,20,0.857
    B、1,10,0.723
    C、2,10,0.723
    D、2,20,0.857



8、CS、CG和CD三种组态中,最适合做电压放大器的还是CS放大器。



9、CG放大器因其输入电阻过小,因此没什么用处。



10、CD放大器因为源极输出信号几乎与栅极输入信号变化一致,因此被称为“源极跟随器”。



11、源极上接有RS的CS放大器以牺牲增益为代价,换取放大器线性输入范围的扩展,因此这个RS越大越好。



12、CS放大器的交流输出摆幅主要由工作点位置决定,跟输入信号大小无关。



第4周 半导体器件及应用——晶体三极管

第4周测验

1、发射结(EBJ)正偏,集电结(CBJ)反偏时,BJT工作在( )模式。
    A、截止
    B、饱和
    C、放大
    D、反向放大



2、集电结由于轻掺杂,因此其正向导通电压与发射结不相同,则工程上一般对NPN型的三极管取VBC(on)一般大小为( )V。(提示:注意
    A、0.7
    B、0.4
    C、0.3
    D、-0.4



3、在放大模式下,集电极电流与基极电流之间的电流增益可表示为( )
    A、α
    B、β
    C、α(1+α)
    D、β(1-β)



4、设图中三极管为硅管,β=50,VBE(on)=0.7V,试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区。()
    A、截止区
    B、放大区
    C、饱和区
    D、其他三个答案均不正确



5、试判断如图所示电路的三极管的工作状态,已知β=100,VBE(on)=0.7V。
    A、饱和区
    B、截止区
    C、放大区
    D、其他三个答案均不正确



6、晶体三极管工作在放大状态时,发射结加 电压,集电结加 电压。
    A、反偏、反偏
    B、正偏、反偏
    C、正偏、正偏
    D、反偏、正偏



7、下列对BJT小信号模型描述正确的语句有( )。
    A、小信号模型使用的前提之一包括必须有合理的偏置设计使得BJT器件工作在放大模式
    B、BJT器件型号确定后,小信号模型的参数也就确定了
    C、电路工作点确定后,小信号模型的参数也就确定了
    D、不同结构类型的BJT器件小信号模型是不一样的



8、在如图所示的共射放大电路中,已知热电压,β=100,集电极偏置电流=1mA,=10kΩ,则该电路电压增益Av=( ),输入电阻Ri=( ),输出电阻Ro=( )。
    A、Av=200V/V
    B、Av=-200V/V
    C、Ri=2.5kΩ,Ro=5kΩ
    D、Ri=5kΩ,Ro=10kΩ



9、如图(a)所示的共射放大电路,加入射极反馈电阻RE后变为图(b),电路性能出现了怎样的变化? (a) (b)
    A、增益变小
    B、线性输入范围变大
    C、输入电阻变大
    D、输出电阻变小



10、共集电极放大电路的特点是:输入电阻Ri 较高



11、共集电极放大电路的特点是:输出电阻Ro较高



12、共集电极放大电路的电压放大倍数Av约为1V/V。



13、由于BJT器件在放大模式下的IB电流不够小,因此其分压式偏置电路的分析比FET要复杂得多,尤其是基极电压VB不能直接靠分压器分压求解。



14、工程估算法在计算BJT分压式偏置电路工作点时,需要满足一定的工程条件才能使用,该工程条件实际上隐含了“偏置电阻取值使得IB电流足够小,从而可以忽略其对分压器电流的分流”这一重要前提。



15、晶体管三种基本组态放大电路中,共基组态输入电阻最低,输出电阻最低。



第4周作业

1、



2、



3、



4、



第5周集成运放单元电路1

第5周测验

1、在集成电路中,最常用于多级放大器连接的耦合方式为( )。
    A、阻容耦合
    B、直接耦合
    C、变压器耦合
    D、光电耦合



2、如图所示,已知(W/L)1 = (W/L)2 = 0.5(W/L)3,(W/L)4 = 0.25(W/L)5,假设所有晶体管其他参数均匹配,且都工作在饱和区,求电路中的I2和I5的大小。
    A、I2=10μA,I5=1.25μA
    B、I2=10μA,I5=80μA
    C、I2=20μA,I5=5μA
    D、I2=20μA,I5=1.25μA



3、电路参数如图所示,已知:|VA|=100V,β足够大,VBE=0.7V,求差放在双端输出的差模电压增益|Avd|及近似求解单端输出的CMRR。
    A、|Avd|= 95.24,CMRR≈86
    B、|Avd|=190.476 ,CMRR≈50
    C、|Avd|= 95.24,CMRR≈∞
    D、|Avd|=190.476 ,CMRR≈86



4、电路如图题所示,两管参数相同,b=100,VBE = 0.7V,求输出电流Io。
    A、0.83mA
    B、1.66mA
    C、0.814mA
    D、0.953mA



5、一般电压型集成运放内部结构主要包括( )。
    A、具有抑制噪声输入功能的差分输入级
    B、具有高增益的中间放大级
    C、具有较大驱动能力的功率输出级
    D、具有较高稳定性的恒流源偏置结构



6、在下列描述中哪些方法可以改变电流源电路的电流传输比:
    A、改变MOS电流源中两个MOS管的沟道宽长比大小
    B、改变BJT电流源中两个BJT管的发射结面积大小
    C、改变BJT比例电流源中两个电阻的大小
    D、改变电流源直流供电电源的大小



7、下列参数中哪些是描述差分放大器性能优劣的特有的指标
    A、差模增益
    B、共模增益
    C、共模抑制比
    D、带宽



8、下列对差分对的描述正确的是
    A、在电路结构、工作原理和分析方法等各方面,BJT差分对与MOS差分对高度相似
    B、在同样偏置的条件下,与MOS差分对相比,BJT差分对的差模增益和共模抑制比更高
    C、BJT差分对的线性输入范围比MOS差分对更小,需增加射极电阻,以牺牲增益为代价来换取性能的改善
    D、BJT差分对的差模输入电阻很小,可通过增加射极电阻或采用组合管的方式来解决



9、选用差分放大器作为多级放大器第一级的主要原因是
    A、克服温漂
    B、提高输入电阻
    C、提高放大倍数
    D、抑制噪声输入



10、为了实现电路设计的微型化,集成电路设计中应尽量避免使用参数很大的无源器件。



11、不论是纯差模输入还是纯共模输入,差分放大器对信号的输入范围都是有要求的,而且要求不同。



12、MOS基本差分放大电路单端输出和双端输出具有相同的增益大小。



13、用下图所示的NMOS构造一个实际电流源,假设恒定不变,则该电流源输出电阻为1/gm



14、实际电流源的输出电阻越小越好。



15、输出电压摆幅和输出电阻是限制实际电流源性能的两个重要因素。



16、如图所示的MOS电流源电路,若通过调节R1和R2比例使得晶体管VT的输出电流增大,则会使得电流源输出电阻减小,从而降低电流源性能。



17、差分放大器的增益和输出信号交流摆幅是一对矛盾,增益的增加将导致输出信号交流摆幅的东西下降。



第6周 放大器的频率响应

第6周测验

1、某一电压放大器的幅频特性如图(折线波特图)所示,其中频增益为____dB,上限截止频率为____Hz,下限截止频率为____Hz。
    A、20;1000;10
    B、40;10000;1000
    C、40;10000;0
    D、60;1000;0



2、引起分立元件放大器放大倍数在低频段的下降的原因是____的影响。
    A、放大器中的耦合电容
    B、放大器件的器件电容
    C、放大器中的耦合电容和旁路电容
    D、放大器中的耦合电容和器件电容



3、已知三极管放大器中器件的,则=( )。
    A、4.95pF
    B、5.05pF
    C、6.95pF
    D、8.27pF



4、在一个单时间常数低通网络中,已知R=100kΩ,C=10pF,则该网络的3dB角频率为( )。
    A、1000000rad/s
    B、100000rad/s
    C、10000rad/s
    D、10000000rad/s



5、放大电路的输入信号频率升高到上限截止频率时,增益系数下降到中频增益的____倍。
    A、0.707
    B、1.414
    C、
    D、



6、在分析放大器中频段频率响应时,我们对各类电容合理的处理方式是( )。
    A、不考虑耦合电容和旁路电容的影响,视它们为短路。
    B、不考虑耦合电容和旁路电容的影响,视它们为开路。
    C、不考虑器件电容的影响,视它们为短路。
    D、不考虑器件电容的影响,视它们为开路。



7、求解放大器上限截止频率的常用方法有()
    A、主极点法
    B、定义法
    C、开路时间常数法
    D、米勒定理
    E、短路时间常数法



8、引起分立元件放大器放大倍数在高频段的下降的原因是器件电容的影响。



9、如果我们能够拿出一个放大器的系统函数(或传递函数),那么就可以用主极点法求解放大器的上限截止频率fH。



10、BJT能用在高频环境,但FET不可以。



11、在CS放大器中,根据开路时间常数法,我们可以看到Cgd对fH的影响,比Cgs要大得多,是因为Cgd引入了更大的时间常数。



12、CG放大器之所以比CS放大器的带宽要大,是因为电路中不存在产生米勒倍增效应的结构。



第7周 集成运放单元电路2

第7周测验

1、在集成电路中,最常用于多级放大器连接的耦合方式为()
    A、阻容耦合
    B、直接耦合
    C、变压器耦合
    D、光电耦合



2、下列关于cascode电路的叙述错误的是( )
    A、输出电阻小
    B、常用作放大单元电路
    C、带宽较高
    D、MOS结构的电路输入电阻高



3、在多级放大器中,后一级电路的输入电阻可视为前一级电路的( ),而前一级电路的输出电阻可视为后一级电路的( )。
    A、输入电阻,输出电阻
    B、输出电阻,输入电阻
    C、负载,输入电阻
    D、负载,信号源内阻



4、在如图所示的有源负载差分放大器中,若所有晶体管的,则要求电路差模增益为时,提供偏置电流的恒流源 I=( )。
    A、0.4mA
    B、0.3mA
    C、0.2mA
    D、0.1mA



5、电路如图所示,已知各晶体管都很大,则电路的总输出电阻Ro=( ),电压增益Av=( )。
    A、50kΩ,-2000V/V
    B、25kΩ,-2000V/V
    C、50kΩ,-1000V/V
    D、25kΩ,-1000V/V



6、CD-CS、CC-CE和CD-CE组合放大器结构的特点是:( )
    A、采用电压跟随器作第一级,以提高输入电阻
    B、采用高增益的放大器作第二级,以保证整体有较大的电压增益
    C、电路结构复杂,不利于生产
    D、电路带宽比单级CE或CS放大器要高



7、与经典电阻型负载差分放大器相比,有源负载差分放大器的优势在于( )。
    A、对称性更好
    B、差模增益更高
    C、实现双端输出到单端输出的转变,使用更方便
    D、单端输出时共模抑制比更高



8、假设电路如图所示,能正常工作,电路跨导为gm,VT2和VT4的输出电阻均为ro,则该电路增益为gmro。



9、电路如图所示,晶体管小信号参数一致,均为gm和ro,则电路的输出电阻为ro/2。



10、有源负载差分放大器可以实现双端输入单端输出,但性能等同于负载型差分放大器的双端输入双端输出。



11、放大器中出现的零点漂移,可以通过增加耦合电容的方式来消除。



第8周 输出级和功率放大器

第8周测验

1、理论上,A类和B类输出级的功率转换效率最高分别能达到( )和( )。
    A、78.5%,25%
    B、78.5%,50%
    C、25%,78.5%
    D、50%,78.5%



2、以下输出级中,器件始终工作在线性区域的是( )。
    A、A类输出级
    B、B类输出级
    C、AB类输出级
    D、C类输出级



3、功率放大器的效率是提供给负载的功率和( )的比值。
    A、输入信号的功率
    B、最后一级的功耗
    C、来自电源的功率
    D、以上都不对



4、交越失真是( )固有的问题。
    A、A类输出级
    B、B类输出级
    C、AB类输出级
    D、C类输出级



5、一般IC功率放大器( )。
    A、不需要散热器
    B、稳定性高
    C、比分立电路更贵
    D、上述答案都对



6、与A类输出级相比,功率放大器采用B类输出级的目的是为了提高( )。
    A、电压增益
    B、输出功率
    C、驱动负载的能力
    D、功率转换效率



7、如图题所示的由两管组成的复合管,可以等效为NPN型复合管的是( )。
    A、
    B、
    C、
    D、



8、对于一个基于BJT器件的B类输出级电路,若可以忽略VBE和VCE(sat)的影响,已知RL=8W,且要求最大输出功率为PLmax=9W,则其供电电源VCC=( )。
    A、9V
    B、10V
    C、12V
    D、15V



9、B类输出级电路中,设VCC=6V,RL=4W,如果输出正弦信号的峰值是4.5V,则输出功率为( )。
    A、9W
    B、5.06W
    C、4.5W
    D、2.53W



10、B类功率放大电路,为使之能给8W的负载电阻提供16W的平均功率,要求直流电源电压比输出电压峰值高5V,则该电路的功率转换效率h为( )。
    A、56%
    B、59.84%
    C、78.5%
    D、80.7%



11、在选择功率电路中的晶体管时,应关注( )参数。
    A、fT
    B、ICM
    C、VCE(sat)
    D、PCM
    E、V(BR)CEO
    F、ICEO



12、下面那些参数是衡量功率放大器性能的指标?
    A、输出功率
    B、电压增益
    C、电流增益
    D、功率转换效率
    E、总谐波失真系数



13、电路中的二极管D1和D2的作用是( )。
    A、为VT1和VT2提供直流偏置
    B、消除饱和失真
    C、消除交越失真
    D、以上都对



14、AB类功率放大器最大功率转换效率为78.5%。



15、假设在某一电路中,由于仪器空间限制,无法采用较大的散热器,同时该电路允许一定的失真存在,则此电路中的功率放大器不能采用A类功率放大器。



16、AB类的提出是为了修正B类输出级中的交越失真,这里牺牲了一部分功率转换效率。



17、功率放大器本质上是能量转换器,但小信号放大器就不一定是能量转换器。



18、在AB类输出级设计中,器件选择同样需要在安全工作区内进行。



19、D类输出级最高效率理论上可以达到100%,它属于数字功率放大器范畴。



20、所有功放在设计时都需要考虑散热问题,一旦器件工作超过结温上限,只要有散热器,就能安全工作。



第9周 负反馈技术基本概念及判断方法

第9周测验

1、设计某放大器时,需向负载输出稳定的电压信号,那么我们需要在输出部分采用( )负反馈,将( )输出电阻。
    A、电压,提高
    B、电流,提供
    C、电压,降低
    D、电流,降低



2、设计某放大器时,需从一个电压源中接收待处理信号,那么我们需要在输入部分采用( )负反馈,将( )输出电阻。
    A、串联,提高
    B、并联,提高
    C、串联,降低
    D、并联,降低



3、如图所示电路,该电路的反馈类型为( )-( )负反馈。
    A、电压,串联
    B、电压,并联
    C、电流,串联
    D、电流,并联



4、判断反馈极性到底是正还是负时,我们一般是观察( )的大小变化。
    A、
    B、
    C、
    D、



5、如图所示电路,该电路的反馈类型及反馈极性为( )。
    A、电压串联负反馈
    B、电流串联负反馈
    C、电压串联正反馈
    D、电流并联正反馈



6、如图所示电路,该电路的反馈类型及反馈极性为( )。
    A、电压串联正反馈
    B、电压串联负反馈
    C、电流串联负反馈
    D、电流串联正反馈



7、在反馈框图中,以下哪几个信号量的电量形式应该时刻保持一致( )。
    A、
    B、
    C、
    D、



8、要判断一个电路中是否存在反馈,需要满足下列哪些条件?
    A、输出部分存在信号取样环节
    B、除基本放大器外,还有其他连接输出和输入通路的存在
    C、输入部分存在信号混合环节
    D、净输入会受到影响



9、要设计一个性能良好的电压放大器,我们常采取的措施包括( )。
    A、在输入部分引入串联负反馈,以提高电路的输入电阻
    B、在输出部分引入电压反馈,以降低电路的输出电阻
    C、在电路中引入合适的负反馈,以提高放大器的增益
    D、在电路中引入合适的负反馈,以取得适当的增益



10、直流反馈应该在电路的直流通路中分析,交流反馈应该在电路的交流通路中分析。



11、既然电流负反馈能稳定输出电流,那么必然能稳定输出电压。



12、要提高反馈放大器的输入阻抗,降低反馈放大器的输出阻抗,应引入电压-并联负反馈。



13、深度负反馈条件下,对各类型放大器,“虚短”和“虚断”现象一般会同时出现。



14、引入负反馈后,放大器的闭环增益将减小,且大小与反馈深度有关。



15、电路中是否存在反馈,只要看输入与输出之间,除了基本放大器外,是否还存在其他通路即可。



第9周作业

1、



2、



3、



第10周 负反馈对放大器性能的影响及稳定性分析

第10周测验

1、某运放开环增益为100dB,单位增益频率为ft =10MHz,如果要求设计增益为40dB的负反馈放大器,则该放大器的带宽为( )。
    A、250kHz
    B、100kHz
    C、25kHz
    D、100MHz



2、反馈放大器如图所示,已知BJT参数gm=77mS,β=100,Av=500,RE1=51Ω,Rf=1.2kΩ,RB=10kΩ。在满足深度负反馈的条件下,则闭环增益Avf=( )。
    A、25.5V/V
    B、24.5V/V
    C、39.2mV/V
    D、30V/V



3、下列情况中,哪类放大器能够稳定工作?
    A、
    B、
    C、
    D、



4、引入负反馈后,放大器的性能将得到改善,下面哪些说法是错误的?()
    A、放大器任何增益的稳定性都可以被改善
    B、放大器带宽将得到扩展,且增益不变
    C、任何噪声都将被削弱
    D、放大器输入输出电阻性能将得到改善



5、当时,下列哪种情况中放大器必然是稳定的。
    A、
    B、
    C、
    D、



6、深度负反馈条件下,对各类型放大器,“虚短”和“虚断”现象一般会同时出现。



7、在负反馈放大器中,放大器的开环增益越大,闭环增益就越稳定。



8、当输入的信号是一个失真的正弦波时,加入负反馈后能使失真减小。



9、引入负反馈能够降低增益灵敏度,等同于提高增益稳定性。



10、在负反馈放大器中,闭环增益、开环增益和反馈系数三者的单位量纲相同。



第11周 集成运放应用电路

第11周测验

1、理想运算放大器构成的电路如图所示,则Vo为( )。
    A、8V
    B、-8V
    C、16V
    D、-16V



2、当级联一个低通滤波器和一个高通滤波器得到一个带通滤波器是,低通滤波器的截止频率必须()。
    A、等于高通滤波器的截止频率
    B、小于高通滤波器的截止频率
    C、大于高通滤波器的截止频率
    D、都可以



3、单门限比较器输入端的噪声能够引起输出()。
    A、挂在一个状态
    B、变为0
    C、在两个状态之间反复变化
    D、产生放大的噪声信号



4、电路如图所示,运算放大器的饱和电压为12V,双向稳压管的稳定电压为,设正向压降为零,当输入电压V时,输出电压VO应为( )。
    A、幅值为12V的方波
    B、幅值为6V的方波
    C、幅值为6V的正弦波
    D、以上皆不是



5、在下列电路中,能将正弦波电压向正方向平移一个直流量的电路为( )。
    A、加法运算电路
    B、减法运算电路
    C、积分运算电路
    D、微分运算电路



6、带通滤波器的品质因数Q取决于()。
    A、截止频率
    B、仅带宽
    C、中心频率和带宽
    D、仅中心频率



7、下列对集成运放参数描述正确的是( )。
    A、运放构成的放大器带宽主要由GBW确定;
    B、运放构成的放大器带宽主要由SR确定;
    C、运放构成的放大器带宽要同时考虑小信号和大信号带宽,取较小的那个做设计
    D、运放构成的放大器在大信号输出时带宽主要由SR确定



8、下列对集成运放失调参数描述合理的是( )
    A、失调是运放必然存在的问题
    B、目前半导体工艺技术高超,已经消除了失调现象
    C、目前集成工艺水平较高,在运放内部一般有内置的调零措施
    D、平衡电阻是运放设计必须要考虑的外接电阻



9、反相组态放大器电路如图所示,则该电路输入电阻为R1+R2。



10、运放构成的积分电路,可以将图中所示的方波转成三角波。



11、一个实际运算放大器输出端电压的最大变化率被称为运算放大器的摆率。



12、仪用放大器,又称为“三运放电路”,是因为内部采用了三级级联的运算放大器而得名



第12周 信号发生器及直流稳压电压

第12周测验

1、正弦波振荡器的振荡频率取决于()。
    A、供电电源
    B、选频网络
    C、放大器参数
    D、外界环境



2、电路如图所示,则( )
    A、输出矩形波,输出电压由运放输出电压决定。
    B、输出方波,输出电压由运放输出电压决定。
    C、输出矩形波,输出电压由稳压对管决定。
    D、输出方波,输出电压由稳压对管决定。



3、在如图所示的桥式整流电容滤波电路中,已知变压器副边电压有效值V2为10V,(T为电网电压的周期),则测得输出直流电压Vo可能的数值为( )。
    A、14V
    B、12V
    C、9V
    D、4.5V



4、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是( )。
    A、基准电压
    B、采样电压
    C、基准电压与采样电压之差
    D、以上皆错



5、直流稳压电源一般包括变压器、整流器、( )和( )等模块。
    A、滤波器,稳压器
    B、滤波器,比较器
    C、放大器,稳压器
    D、比较器,放大器



6、如图所示,RC文氏电桥正弦振荡电路: (1)已知,为满足起振条件,应如何取值? (2)若,则输出正弦波频率
    A、R1略大于2kΩ
    B、R1略小于2kΩ
    C、f=1.59kHz
    D、f=159Hz



7、下列表述错误的有( )。
    A、只要满足正弦波振荡的相位条件,电路就一定能振荡。
    B、正弦波振荡电路维持振荡的幅值条件是
    C、只要引入正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。
    D、只要引入负反馈,电路就一定不能产生正弦波振荡。
    E、正弦波振荡电路需要非线性环节的原因是要稳定振荡幅值。



8、电路如图所示,以下说法正确的是( )。
    A、设置RA=RB,该电路能够实现方波输出;
    B、设置RA=RB,该电路的周期就由RA和C决定;
    C、改变R1和R2的值,可以改变输出vo的幅值大小;
    D、无论怎样改变R1和R2的值,输出vo的幅值大小都不变。



9、凡是振荡电路中的集成运放都工作在线性区。



10、正弦波振荡器输出波形的振幅随着反馈系数β的增加而减小。



11、一般情况下,开关型稳压电路比线性稳压电路效率高。



期末考试

1、齐纳二极管一般常常利用其( )状态来实现稳压等功能。
    A、反向偏置
    B、正向偏置
    C、反向击穿
    D、反向击穿



2、下列对共源放大器的描述正确的是()
    A、输入电阻高,输出电阻低
    B、输入电阻低,输出电阻低
    C、输入电阻高,输出电阻高
    D、输入电阻低,输出电阻高



3、NPN晶体三极管须满足的的工艺条件()
    A、发射区高掺杂
    B、基区很薄
    C、集电结面积远大于发射结面积
    D、以上都是



4、集成运算放大器的输出级一般为()
    A、差分放大器
    B、多级放大器
    C、功率放大器
    D、电流源电路



5、当负反馈电路采用恒压激励,且要求恒压输出时,应引入()
    A、电流串联负反馈
    B、电压串联负反馈
    C、电压并联负反馈
    D、电流并联负反馈



6、若要求从输入信号中取出高于25kHZ的信号,应选用( )滤波电路
    A、低通
    B、高通
    C、带通
    D、带阻



7、正弦波振荡器中正反馈网络的作用是()
    A、保证产生自激振荡的相位条件
    B、提高放大器的放大倍数,使输出信号足够大
    C、产生单一频率正弦波
    D、以上说法都对



8、以下哪些是衡量功率放大器性能的指标( )
    A、输出功率
    B、功率转换效率
    C、失真系数
    D、共模抑制比



9、某放大器的电压增益为40dB,因为某种原因增益扩大了10倍,则现在的增益大小为()
    A、400dB
    B、1000V/V
    C、60dB
    D、30dB



销售榜Top20
[中国大学mooc]信号与系统B 5
[中国大学mooc]研究生英语科技论文写作 4
[中国大学mooc]工程流体力学 4
[中国大学mooc]计算机控制系统 4
[中国大学mooc]操作系统 4
[中国大学mooc]马克思主义基本原理概论 3
[中国大学mooc]计算机组成原理 3
[中国大学mooc]精细有机合成化学与工艺学 3
[中国大学mooc]微机原理与接口技术(王晓婕) 3
[中国大学mooc]材料科学基础(上)(王永欣) 2
[中国大学mooc]DSP技术 2
[中国大学mooc]研究生英语科技论文写作 2
[中国大学mooc]微机原理与接口技术 2
[中国大学mooc]模拟电子电路(顾梅园老师2019秋季) 1
[中国大学mooc]文献检索 1
[中国大学mooc]模拟电子电路 1
[中国大学mooc]材料科学基础(上) 1
[中国大学mooc]国际贸易实务(双语) 0
[中国大学mooc]数学实验 0
[中国大学mooc]供应链管理 0
阅读榜Top20
[中国大学mooc]大学英语(3) 279
[中国大学mooc]高级财务会计 279
[中国大学mooc]化学与社会 277
[中国大学mooc]体操(健美操、啦啦操) 277
[中国大学mooc]物联网导论 276
[中国大学mooc]波谱解析 276
[中国大学mooc]无机元素化学 276
[中国大学mooc]工程热力学 275
[中国大学mooc]激光原理与技术 274
[智慧树|知到]“一带一路“跨文化交际英语 273
[智慧树|知到]工程热力学 272
[中国大学mooc]房屋建筑学 271
[智慧树|知到]Excel数据处理与分析 270
[中国大学mooc]环境设施设计 270
[中国大学mooc]分析化学 269
[中国大学mooc]儿童发展 269
[中国大学mooc]电工电子实验基础 268
[中国大学mooc]中国文化概论 268
[中国大学mooc]无机化学(下) 268
[中国大学mooc]水文学 267
随机推荐
[中国大学mooc]舞龙
[中国大学mooc]软件测试技术
[中国大学mooc]电气工程学概论2A(路志英)
[中国大学mooc]科学计算与MATLAB语言
[中国大学mooc]旅游统计-朱恒峰-旅管1701
[中国大学mooc]最优化方法
[中国大学mooc]结构化学
[中国大学mooc]拖动控制系统(k)
[中国大学mooc]理工课学生创造性思维与创新方法
[中国大学mooc]病理学基础
[中国大学mooc]工程水文学
[智慧树|知到]大学物理(上)(黑龙江联盟)
[中国大学mooc]化工热力学
[中国大学mooc]实用英语
[中国大学mooc]数字化测图原理与方法 测1801-1802
[中国大学mooc]隧道工程A
[中国大学mooc]金融营销理论与实务
[中国大学mooc]精细化学品分析技术
[中国大学mooc]工程机械构造
[中国大学mooc]工程制图B